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Thorlabs多模光纖，方形纖芯
- 產(chǎn)品型號：
- 更新時間：2023-12-19
- 產(chǎn)品介紹：Thorlabs多模光纖，方形纖芯的數(shù)值孔徑為0.39，它具有150µm x 150 µm的方形石英纖芯，這點與大多數(shù)具有圓形纖芯的階躍折射率光纖不同。該纖芯由Ø225 µm圓形聚合物包層包圍，且涂覆有乙烯-四氟乙烯共聚物（Tefzel）緩沖層。它的波長范圍為400 - 2200nm；請看下方的衰減曲線圖，完整規(guī)格請看規(guī)格標簽。
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產(chǎn)品介紹
| 品牌 | Thorlabs | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學元件 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子/電池 |
Thorlabs多模光纖，方形纖芯
Thorlabs多模光纖，方形纖芯特性
階躍折射率多模光纖，方形纖芯，數(shù)值孔徑0.39
純石英纖芯尺寸150 µm x 150 µm
硬聚合物包層Ø225 µm
波長范圍400 - 2200 nm，低羥基
非常適合成像和光譜學應(yīng)用
使用T12S21光纖剝除工具剝離涂覆層
FP150QMT多模光纖的數(shù)值孔徑為0.39，它具有150µm x 150 µm的方形石英纖芯，這點與大多數(shù)具有圓形纖芯的階躍折射率光纖不同。該纖芯由Ø225 µm圓形聚合物包層包圍，且涂覆有乙烯-四氟乙烯共聚物(Tefzel)緩沖層。它的波長范圍為400 - 2200nm；請看下方的衰減曲線圖，完整規(guī)格請看規(guī)格標簽。
纖芯的方形有助于光纖中的模式混合，從而產(chǎn)生均勻的空間分布、正方形的光束形狀以及平頂光束輪廓(在輸出端)。為了在遠場距離保持方形的光束，需要使用準直器對纖芯成像(請看右圖)。鮮明的方形光束非常適合成像應(yīng)用，比如在矩形CCD探測器上成像。該光束輪廓的形狀還可以改善激光二極管或LED的耦合，因為它們具有矩形發(fā)射面。對于天文光譜學應(yīng)用，方形纖芯的光纖還能減少焦比衰退(FRD)，并改善擾模增益(更多信息，請看應(yīng)用標簽)。
庫存有使用該光纖的光纖跳線，包含多種配置(詳情請看表格)。我們也可以定制不同的長度或接頭配置，詳情請聯(lián)系技術(shù)支持。
使用FP150QMT的光纖跳線(左圖)與M29L02纖芯Ø200 µm的光纖跳線(右圖)的準直輸出比較。M625F2光纖耦合LED用作光源。
利用透鏡擴束測量的平頂光束輪廓
Stock Patch Cables Available with this Fibera | |||
Item # | Fiber Used | Description | Length |
M97L02 | FP150QMT | SMA Connectors | 2 m |
M101L02 | FC/PC Connectors | 2 m | |
M102L05 | SMA Connectors | 5 m | |
M103L05 | FC/PC Connectors | 5 m | |
規(guī)格
Item # | WavelengthRange | HydroxylContent | Core Size | CladdingDiameter | CoatingDiameter | Core / Cladding | Coating | Stripping Tool | Proof Test |
FP150QMT | 400 - 2200 nm | Low OH | 150 ± 10 µm x 150 ± 10 µm | 225 ± 5 µm | 500 ± 30 µm | Pure Silica /Hard Polymer | Tefzel | T12S21 | ≥50 kpsi |
Item # | NA | Core Index @ 589.3 nm | Cladding Index @ 589.3 nm | Attenuation (Click for Plot) | Core Offset | Bend Radius | Operating Temperature Short Term | |
Short Term | Long Term | |||||||
FP150QMT | 0.39 | 1.458965 | 1.3651 | 20 dB/km @ 803 nm (Max) | 6 µm (Max) | 20 mm | 40 mm | -40 to 150 °C |
應(yīng)用
方形纖芯的光纖適合多種應(yīng)用，包括：天文學、激光加工、皮膚病學設(shè)備和生物醫(yī)學成像。下面的例子展現(xiàn)了這些光纖相對于傳統(tǒng)圓形纖芯光纖而具有的*優(yōu)勢。
平坦的光束輪廓
方形纖芯的光纖具有一個明顯的特點，那就是它在纖芯區(qū)域產(chǎn)生的是強度均勻的光束，而不是圓形纖芯的光纖通常產(chǎn)生的高斯光束輪廓。這是因為，纖芯的方形有助于光在光纖中傳播時實現(xiàn)模式混合，從而使輸出光束的空間模式均勻分布。
方形纖芯的光纖非常適合激光加工應(yīng)用，無需光束整形光學元件或掩模，就可以形成尖角或進行邊緣切割；這種光纖也適合成像應(yīng)用，方形光束輪廓可以更好地適應(yīng)矩形CCD陣列的形狀。請注意，光束一旦離開光纖，光束形狀就無法保持，因此，需要準直器對纖芯成像，以保持光束在自由空間中的形狀。
使用透鏡擴展由530 nm LED光源從單模光纖發(fā)射到測試光纖的光束，并測量光束輪廓。
天文應(yīng)用
對恒星和天文光譜學感興趣的客戶，這種方形纖芯的光纖還有幾種優(yōu)于圓形纖芯光纖的特點。
焦比衰退(FRD)少多模光纖跳線適用于天文應(yīng)用，尤其常用于建立多天體分光(MOS)系統(tǒng)，可以在望遠鏡的視場內(nèi)同時觀察多個天體的光譜。光纖的小視場只能捕捉目標天體發(fā)出的光，周圍天體產(chǎn)生的噪聲很小。由于微彎曲以及安裝接頭時終端對光纖產(chǎn)生的應(yīng)力，光纖輸出端的焦比(也就是f/#)會低于輸入端，而光束角度在輸出端會變大。這種現(xiàn)象也就是所謂的焦比衰退(FRD)，輸出光束角度變寬，會導(dǎo)致光譜分辨率降低，在探測器上的采光量減少。FRD通過輸入f/#與輸出f/#的比值來計算。
Thorlabs方形纖芯的光纖可以大程度地減少終端應(yīng)力和焦比衰退。為了證明這點，我們測試了三種光纖，其終端由低應(yīng)力環(huán)氧樹脂粘合，并在40 °C下經(jīng)過4小時固化。如右圖所示，與FT200EMT(Ø200 µm纖芯)和FT300EMT(Ø300 µm 纖芯)光纖相比，使用FP150QMT方形纖芯光纖的跳線焦比衰退更低(即，輸入端與輸出端的焦比差異更小)
在530 nm處的FRD測量FP150QMT：150 µm x 150 µm方形纖芯FT200EMT：Ø200 µm圓形纖芯FT300EMT：Ø300 µm圓形纖芯
擾模增益
恒星光譜學中也使用多模光纖。觀察到的恒星的細微運動會導(dǎo)致所測光譜的變化，這是一種測量噪聲的來源。加強擾?？梢越档凸饫w對這些波動的靈敏度。"擾模增益"可以量化光纖對這些擾動的靈敏度，被定義為光纖輸入端點光源的位移與光纖輸出端所測光束位移的比值。擾模增益值越高，表示點光源波動對光纖輸出的影響越小。
有好幾種方法可以改善光纖中的擾模增益。一般而言，使用較長的光纖可以提高擾模增益，但是，光纖的總透射率也會降低。而方形纖芯的光纖改善擾模增益不需要使用較長的光纖。如左表所示，使用方形纖芯的Thorlabs光纖跳線的擾模增益高于類似圓形纖芯的光纖跳線。
Scrambling Gain for Different Fiber Typesa | |||
Fiber Length | Fiber Type | Core | Scrambling Gain |
2m | FT200EMT | Circular | 42 |
FP150QMT | Square | 121 | |
5m | FT200EMT | Circular | 235 |
FP150QMT | Square | 465 | |
空氣-玻璃界面的損傷
空氣/玻璃界面有幾種潛在的損傷機制。自由空間耦合或使用光學接頭匹配兩根光纖時，光會入射到這個界面。如果光的強度很高，就會降低功率的適用性，并給光纖造成性損傷。而對于使用環(huán)氧樹脂將接頭與光纖固定的終端光纖而言，高強度的光產(chǎn)生的熱量會使環(huán)氧樹脂熔化，進而在光路中的光纖表面留下殘留物。
損傷的光纖端面
未損傷的光纖端面
裸纖端面的損傷機制
光纖端面的損傷機制可以建模為大光學元件，紫外熔融石英基底的工業(yè)標準損傷閾值適用于基于石英的光纖(參考右表)。但是與大光學元件不同，與光纖空氣/璃界面相關(guān)的表面積和光束直徑都非常小，耦合單模(SM)光纖時尤其如此，因此，對于給定的功率密度，入射到光束直徑較小的光纖的功率需要比較低。
右表列出了兩種光功率密度閾值：一種理論損傷閾值，一種"實際安全水平"。一般而言，理論損傷閾值代表在光纖端面和耦合條件非常好的情況下，可以入射到光纖端面且沒有損傷風險的大功率密度估算值。而"實際安全水平"功率密度代表光纖損傷的低風險。超過實際安全水平操作光纖或元件也是有可以的，但用戶必須遵守恰當?shù)倪m用性說明，并在使用前在低功率下驗證性能。
計算單模光纖和多模光纖的有效面積單模光纖的有效面積是通過模場直徑(MFD)定義的，它是光通過光纖的橫截面積，包括纖芯以及部分包層。耦合到單模光纖時，入射光束的直徑必須匹配光纖的MFD，才能達到良好的耦合效率。
例如，SM400單模光纖在400 nm下工作的模場直徑(MFD)大約是Ø3 µm，而SMF-28 Ultra單模光纖在1550 nm下工作的MFD為Ø10.5 µm。則兩種光纖的有效面積可以根據(jù)下面來計算：
SM400 Fiber:Area= Pi x (MFD/2)2 = Pi x (1.5µm)2 = 7.07 µm2= 7.07 x 10-8cm2
SMF-28 Ultra Fiber: Area = Pi x (MFD/2)2 = Pi x (5.25 µm)2= 86.6 µm2= 8.66 x 10-7cm2
為了估算光纖端面適用的功率水平，將功率密度乘以有效面積。請注意，該計算假設(shè)的是光束具有均勻的強度分布，但其實，單模光纖中的大多數(shù)激光束都是高斯形狀，使得光束中心的密度比邊緣處更高，因此，這些計算值將略高于損傷閾值或?qū)嶋H安全水平對應(yīng)的功率。假設(shè)使用連續(xù)光源，通過估算的功率密度，就可以確定對應(yīng)的功率水平：
SM400 Fiber: 7.07 x 10-8cm2x 1MW/cm2= 7.1 x10-8MW =71 mW (理論損傷閾值)
7.07 x 10-8cm2x 250 kW/cm2= 1.8 x10-5kW = 18 mW (實際安全水平)
SMF-28 Ultra Fiber: 8.66 x 10-7cm2x 1MW/cm2= 8.7 x10-7MW =870mW (理論損傷閾值)
8.66 x 10-7cm2x 250 kW/cm2= 2.1 x10-4kW =210 mW (實際安全水平)
多模(MM)光纖的有效面積由纖芯直徑確定，一般要遠大于SM光纖的MFD值。如要獲得佳耦合效果，Thorlabs建議光束的光斑大小聚焦到纖芯直徑的70 - 80%。由于多模光纖的有效面積較大，降低了光纖端面的功率密度，因此，較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級)可以無損傷地耦合到多模光纖中。
Estimated Optical Power Densities on Air / Glass Interfacea | ||
Type | Theoretical Damage Thresholdb | Practical Safe Levelc |
CW(Average Power) | ~1 MW/cm2 | ~250 kW/cm2 |
10 ns Pulsed(Peak Power) | ~5 GW/cm2 | ~1 GW/cm2 |
所有值針對無終端(裸露)的石英光纖，適用于自由空間耦合到潔凈的光纖端面。
這是可以入射到光纖端面且沒有損傷風險的大功率密度估算值。用戶在高功率下工作前，必須驗證系統(tǒng)中光纖元件的性能與可靠性，因其與系統(tǒng)有著緊密的關(guān)系。
這是在大多數(shù)工作條件下，入射到光纖端面且不會損傷光纖的安全功率密度估算值。
插芯/接頭終端相關(guān)的損傷機制
有終端接頭的光纖要考慮更多的功率適用條件。光纖一般通過環(huán)氧樹脂粘合到陶瓷或不銹鋼插芯中。光通過接頭耦合到光纖時，沒有進入纖芯并在光纖中傳播的光會散射到光纖的外層，再進入插芯中，而環(huán)氧樹脂用來將光纖固定在插芯中。如果光足夠強，就可以熔化環(huán)氧樹脂，使其氣化，并在接頭表面留下殘渣。這樣，光纖端面就出現(xiàn)了局部吸收點，造成耦合效率降低，散射增加，進而出現(xiàn)損傷。
與環(huán)氧樹脂相關(guān)的損傷取決于波長，出于以下幾個原因。一般而言，短波長的光比長波長的光散射更強。由于短波長單模光纖的MFD較小，且產(chǎn)生更多的散射光，則耦合時的偏移也更大。
為了大程度地減小熔化環(huán)氧樹脂的風險，可以在光纖端面附近的光纖與插芯之間構(gòu)建無環(huán)氧樹脂的氣隙光纖接頭。我們的高功率多模光纖跳線就使用了這種設(shè)計特點的接頭。
曲線圖展現(xiàn)了帶終端的單模石英光纖的大概功率適用水平。每條線展示了考慮具體損傷機制估算的功率水平。大功率適用性受到所有相關(guān)損傷機制的低功率水平限制(由實線表示)。
確定具有多種損傷機制的功率適用性
光纖跳線或組件可能受到多種途徑的損傷(比如，光纖跳線)，而光纖適用的大功率始終受到與該光纖組件相關(guān)的低損傷閾值的限制。
例如，右邊曲線圖展現(xiàn)了由于光纖端面損傷和光學接頭造成的損傷而導(dǎo)致單模光纖跳線功率適用性受到限制的估算值。有終端的光纖在給定波長下適用的總功率受到在任一給定波長下，兩種限制之中的較小值限制(由實線表示)。在488 nm左右工作的單模光纖主要受到光纖端面損傷的限制(藍色實線)，而在1550
nm下工作的光纖受到接頭造成的損傷的限制(紅色實線)。
對于多模光纖，有效模場由纖芯直徑確定，一般要遠大于SM光纖的有效模場。因此，其光纖端面上的功率密度更低，較高的光功率(一般上千瓦的數(shù)量級)可以無損傷地耦合到光纖中(圖中未顯示)。而插芯/接頭終端的損傷限制保持不變，這樣，多模光纖的大適用功率就會受到插芯和接頭終端的限制。
請注意，曲線上的值只是在合理的操作和對準步驟幾乎不可能造成損傷的情況下粗略估算的功率水平值。值得注意的是，光纖經(jīng)常在超過上述功率水平的條件下使用。不過，這樣的應(yīng)用一般需要專業(yè)用戶，并在使用之前以較低的功率進行測試，盡量降低損傷風險。但即使如此，如果在較高的功率水平下使用，則這些光纖元件應(yīng)該被看作實驗室消耗品。
光纖內(nèi)的損傷閾值
除了空氣玻璃界面的損傷機制外，光纖本身的損傷機制也會限制光纖使用的功率水平。這些限制會影響所有的光纖組件，因為它們存在于光纖本身。光纖內(nèi)的兩種損傷包括彎曲損耗和光暗化損傷。
彎曲損耗
光在纖芯內(nèi)傳播入射到纖芯包層界面的角度大于臨界角會使其無法全反射，光在某個區(qū)域就會射出光纖，這時候就會產(chǎn)生彎曲損耗。射出光纖的光一般功率密度較高，會燒壞光纖涂覆層和周圍的松套管。
有一種叫做雙包層的特種光纖，允許光纖包層(第二層)也和纖芯一樣用作波導(dǎo)，從而降低彎折損傷的風險。通過使包層/涂覆層界面的臨界角高于纖芯/包層界面的臨界角，射出纖芯的光就會被限制在包層內(nèi)。這些光會在幾厘米或者幾米的距離而不是光纖內(nèi)的某個局部點漏出，從而大限度地降低損傷。Thorlabs生產(chǎn)并銷售0.22 NA雙包層多模光纖，它們能將適用功率提升百萬瓦的范圍。
光暗化
光纖內(nèi)的第二種損傷機制稱為光暗化或負感現(xiàn)象，一般發(fā)生在紫外或短波長可見光，尤其是摻鍺纖芯的光纖。在這些波長下工作的光纖隨著曝光時間增加，衰減也會增加。引起光暗化的原因大部分未可知，但可以采取一些列措施來緩解。例如，研究發(fā)現(xiàn)，羥基離子(OH)含量非常低的光纖可以抵抗光暗化，其它摻雜物比如氟，也能減少光暗化。
即使采取了上述措施，所有光纖在用于紫外光或短波長光時還是會有光暗化產(chǎn)生，因此用于這些波長下的光纖應(yīng)該被看成消耗品。
制備和處理光纖
通用清潔和操作指南
建議將這些通用清潔和操作指南用于所有的光纖產(chǎn)品。而對于具體的產(chǎn)品，用戶還是應(yīng)該根據(jù)輔助文獻或手冊中給出的具體指南操作。只有遵守了所有恰當?shù)那鍧嵑筒僮鞑襟E，損傷閾值的計算才會適用。
安裝或集成光纖(有終端的光纖或裸纖)前應(yīng)該關(guān)掉所有光源，以避免聚焦的光束入射在接頭或光纖的脆弱部分而造成損傷。
光纖適用的功率直接與光纖/接頭端面的質(zhì)量相關(guān)。將光纖連接到光學系統(tǒng)前，一定要檢查光纖的末端。端面應(yīng)該是干凈的，沒有污垢和其它可能導(dǎo)致耦合光散射的污染物。另外，如果是裸纖，使用前應(yīng)該剪切，用戶應(yīng)該檢查光纖末端，確保切面質(zhì)量良好。
如果將光纖熔接到光學系統(tǒng)，用戶先應(yīng)該在低功率下驗證熔接的質(zhì)量良好，然后在高功率下使用。熔接質(zhì)量差，會增加光在熔接界面的散射，從而成為光纖損傷的來源。
對準系統(tǒng)和優(yōu)化耦合時，用戶應(yīng)該使用低功率；這樣可以大程度地減少光纖其他部分(非纖芯)的曝光。如果高功率光束聚焦在包層、涂覆層或接頭，有可能產(chǎn)生散射光造成的損傷。
高功率下使用光纖的注意事項
一般而言，光纖和光纖元件應(yīng)該要在安全功率水平限制之內(nèi)工作，但在理想的條件下(佳的光學對準和非常干凈的光纖端面)，光纖元件適用的功率可能會增大。用戶先必須在他們的系統(tǒng)內(nèi)驗證光纖的性能和穩(wěn)定性，然后再提高輸入或輸出功率，遵守所有所需的安全和操作指導(dǎo)。以下事項是一些有用的建議，有助于考慮在光纖或組件中增大光學功率。
要防止光纖損傷光耦合進光纖的對準步驟也是重要的。在對準過程中，在取得佳耦合前，光很容易就聚焦到光纖某部位而不是纖芯。如果高功率光束聚焦在包層或光纖其它部位時，會發(fā)生散射引起損傷。
使用光纖熔接機將光纖組件熔接到系統(tǒng)中，可以增大適用的功率，因為它可以大程度地減少空氣/光纖界面損傷的可能性。用戶應(yīng)該遵守所有恰當?shù)闹笇?dǎo)來制備，并進行高質(zhì)量的光纖熔接。熔接質(zhì)量差可能導(dǎo)致散射，或在熔接界面局部形成高熱區(qū)域，從而損傷光纖。
連接光纖或組件之后，應(yīng)該在低功率下使用光源測試并對準系統(tǒng)。然后將系統(tǒng)功率緩慢增加到所希望的輸出功率，同時周期性地驗證所有組件對準良好，耦合效率相對光學耦合功率沒有變化。
由于劇烈彎曲光纖造成的彎曲損耗可能使光從受到應(yīng)力的區(qū)域漏出。在高功率下工作時，大量的光從很小的區(qū)域(受到應(yīng)力的區(qū)域)逃出，從而在局部形成產(chǎn)生高熱量，進而損傷光纖。請在操作過程中不要破壞或突然彎曲光纖，以盡可能地減少彎曲損耗。
用戶應(yīng)該針對給定的應(yīng)用選擇合適的光纖。例如，大模場光纖可以良好地代替標準的單模光纖在高功率應(yīng)用中使用，因為前者可以提供更佳的光束質(zhì)量，更大的MFD，且可以降低空氣/光纖界面的功率密度。
階躍折射率石英單模光纖一般不用于紫外光或高峰值功率脈沖應(yīng)用，因為這些應(yīng)用與高空間功率密度相關(guān)。
多模光纖選擇指南
Thorlabs提供的多模裸光纖具有石英、氟化鋯(ZrF4)或氟化銦(InF3)纖芯。下表詳述了Thorlabs的所有多模裸光纖。點擊右邊欄中的曲線圖標可以查看衰減曲線圖。
Index Profile | NA | Fiber Type | Item # | Core Size | Wavelength Range | Attenuation |
Step Index | 0.100 | Fluorine-Doped Cladding, Enhanced Coating View These Fibers | FG010LDA | Ø10 µm | 400 to 550 nm and 700 to 1000 nm |
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FG025LJA | Ø25 µm | 400 to 550 nm and 700 to 1400 nm | ||||
FG105LVA | Ø105 µm | 400 to 2100 nm | ||||
0.22 | Glass-Clad Slilca Multimode Fiber View These Fibers | FG050UGA | Ø50 µm | 250 to 1200 nm (High OH) |
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FG105UCA | Ø105 µm | |||||
FG200UEA | Ø200 µm | |||||
FG050LGA | Ø50 µm | 400 to 2400 nm (Low OH) | ||||
FG105LCA | Ø105 µm | |||||
FG200LEA | Ø200 µm | |||||
High Power Double TECS / Silica Cladding Multimode Fiber View These Fibers | FG200UCC | Ø200 µm | 250 to 1200 nm (High OH) |
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FG273UEC | Ø273 µm | |||||
FG365UEC | Ø365 µm | |||||
FG550UEC | Ø550 µm | |||||
FG910UEC | Ø910 µm | |||||
FG200LCC | Ø200 µm | 400 to 2200 nm (Low OH) | ||||
FG273LEC | Ø273 µm | |||||
FG273LEC | Ø273 µm | |||||
FG550LEC | Ø550 µm | |||||
FG910LEC | Ø910 µm | |||||
Solarization-Resistant Multimode Fiber for UV Use View These Fibers | FG10CA | Ø105 µm | 180 to 1200 nm Acrylate Coating for Ease of Handling |
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FG200AEA | Ø200 µm | |||||
FG300AEA | Ø300 µm | |||||
FG400AEA | Ø400 µm | |||||
FG600AEA | Ø600 µm | |||||
UM22-100 | Ø100 µm | 180 to 1150 nm Polyimide Coating for Use up to 300 °C | ||||
UM22-200 | Ø200 µm | |||||
UM22-300 | Ø300 µm | |||||
UM22-400 | Ø400 µm | |||||
UM22-600 | Ø600 µm | |||||
0.39 | High Power TECS Cladding Multimode Fiber View These Fibers | FT200UMT | Ø200 µm | 300 to 1200 nm (High OH) |
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FT300UMT | Ø300 µm | |||||
FT400UMT | Ø400 µm | |||||
FT600UMT | Ø600 µm | |||||
FT800UMT | Ø800 µm | |||||
FT1000UMT | Ø1000 µm | |||||
FT1500UMT | Ø1500 µm | |||||
FT200EMT | Ø200 µm | 400 to 2200 nm (Low OH) | ||||
FT300EMT | Ø300 µm | |||||
FT400EMT | Ø400 µm | |||||
FT600EMT | Ø600 µm | |||||
FT800EMT | Ø800 µm | |||||
FT1000EMT | Ø1000 µm | |||||
FT1500EMT | Ø1500 µm | |||||
Square-Core Multimode Fiber | FP150QMT | 150 µm x 150 µm | 400 to 2200 nm |
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0.5 | High NA Multimode Fiber View These Fibers | FP200URT | Ø200 µm | 300 to 1200 nm (High OH) |
| |
FP400URT | Ø400 µm | |||||
FP600URT | Ø600 µm | |||||
FP1000URT | Ø1000 µm | |||||
FP1500URT | Ø1500 µm | |||||
FP200ERT | Ø200 µm | 400 to 2200 nm (Low OH) | ||||
FP400ERT | Ø400 µm | |||||
FP600ERT | Ø600 µm | |||||
FP1000ERT | Ø1000 µm | |||||
FP1500ERT | Ø1500 µm | |||||
0.20 | Mid-IR Fiber with Zirconium Fluoride (ZrF4) Core | Various Sizes Between | 285 nm to 4.5 µm |
| ||
0.20 or 0.26 | Mid-IR Fiber with Indium Fluoride (InF3) Core | Ø50 µm or Ø100 µm | 310 nm to 5.5 µm | |||
Graded Index | 0.2 | Graded-Index Fiber for Low Bend Loss View These Fibers | GIF50C | Ø50 µm | 800 to 1600 nm |
|
GIF50E | ||||||
0.275 | GIF625 | Ø62.5 µm | 800 to 1600 nm |
| ||
產(chǎn)品型號 | 公英制通用 |
FP150QMT | 多模光纖，數(shù)值孔徑0.39，方形纖芯150 µm x 150 µm，低羥基 |
損傷的光纖端面
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